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参数资料
| 型号： | 1N4749ATA2 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 24 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 封装： | GLASS, CASE 59-03, 2 PIN |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | 1N4749ATA2 |
GENERAL DATA — 500 mW DO-35 GLASS
Motorola TVS/Zener Device Data
6-4
500 mW DO-35 Glass Data Sheet
Figure 10. Typical Forward Characteristics
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
I F
,FOR
W
ARD
CURRENT
(mA)
MAXIMUM
150
°C
75
°C
0
°C
25
°C
Figure 6. Effect of Zener Current
on Zener Impedance
Figure 7. Effect of Zener Voltage
on Zener Impedance
Figure 9. Typical Capacitance versus VZ
Figure 8. Typical Leakage Current
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
IZ, ZENER CURRENT (mA)
Z
,DYNAMIC
IMPEDANCE
(OHMS)
1000
700
500
200
100
70
50
20
10
7
5
2
1
2
100
VZ, ZENER CURRENT (mA)
35
7
10
20
30
50
70
Z
,DYNAMIC
IMPEDANCE
(OHMS)
10000
7000
5000
2000
1000
700
500
200
100
70
50
20
10
7
5
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.07
0.05
0.02
0.01
0.007
0.005
0.002
0.001
I R
,LEAKAGE
CURRENT
(
A)
3
456
78
9
10
11
12
13
14
15
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (VOLTS)
+25
°C
+125
°C
TYPICAL LEAKAGE CURRENT
AT 80% OF NOMINAL
BREAKDOWN VOLTAGE
TJ = 25°C
iZ(rms) = 0.1 IZ(dc)
f = 60 Hz
6.2 V
27 V
VZ = 2.7 V
47 V
TJ = 25°C
iZ(rms) = 0.1 IZ(dc)
f = 60 Hz
20 mA
5 mA
IZ = 1 mA
0 V BIAS
1 V BIAS
400
300
200
100
50
20
10
8
4
1
2
5
10
20
50
100
VZ, NOMINAL VZ (VOLTS)
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
50% OF BREAKDOWN BIAS
MINIMUM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 1N4749A-TP | 功能描述:稳压二极管 1.0W 24V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N4749ATR | 功能描述:稳压二极管 24V 1W ZENER 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N4749A-TR | 功能描述:稳压二极管 24 Volt 1.3 Watt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N4749A-TR/BKN | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Diode, Zener; 24 V @ 10.5 mA; 1 W @ +50C (Ambient); DO-41; 25 Ohms @ 10.5 mA |
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