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参数资料
| 型号： | 1N483B |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 25K |
| 描述： | DIODE SS 80V 200MA DO-35 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 25nA @ 60V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-35 |
| 包装： | 散装 |
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
1
www.fairchildsemi.com
January 2005
1N483B Rev. A
1N483B Small Signal Diode
1N483B
Small Signal Diode
Absolute Maximum Ratings *
Ta
= 25°C unless otherwise noted
* These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.
2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Electrical Characteristics
TC
= 25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Unit
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 80 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current 200 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
1.0
4.0
A
A
TSTG
Storage Temperature Range -65 to +200
°C
TJ
Operating Junction Temperature 175
°C
Symbol Parameter Value Unit
PD
Power Dissipation 500 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 300
°C/W
Symbol Parameter Conditions Min. Max Units
VR
Breakdown Voltage IR
= 100
μA80V
VF
Forward Voltage IF
= 100mA 1.0 V
IR
Reverse Leakage VR
= 60V
25
nA
VR
= 60V, T
A
= 150
°C
5
μA
DO-35
Color Band Denotes Cathode
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N485B | DIODE SS 200V 200MA DO-35 |
| 1N486B_T50A | DIODE SS 250V 200MA DO-35 |
| 1N4934GL-T | DIODE FAST REC 1A 100V A-405 |
| 1N4935 | DIODE FAST 200V 1A DO-41 |
| 1N4937L | RECTIFIER FAST RECVRY 1.0A A-405 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N483B | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Standard Recovery Rectifier 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SMALL SIGNAL DIODE, 80V 200mA DO-35 |
| 1N483B_1 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:SWITCHING DIODE |
| 1N483B_Q | 功能描述:整流器 Single Junction 80V Low Leakage RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N483B_T50R | 功能描述:整流器 Single Junction 80V Low Leakage RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N483BJANTX | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
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