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参数资料
| 型号： | 1N483BTR |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 25K |
| 描述： | DIODE SS 80V 200MA DO-35 |
| 标准包装： | 30,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 25nA @ 60V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-35 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
1
www.fairchildsemi.com
January 2005
1N483B Rev. A
1N483B Small Signal Diode
1N483B
Small Signal Diode
Absolute Maximum Ratings *
Ta
= 25°C unless otherwise noted
* These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.
2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Electrical Characteristics
TC
= 25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Unit
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 80 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current 200 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
1.0
4.0
A
A
TSTG
Storage Temperature Range -65 to +200
°C
TJ
Operating Junction Temperature 175
°C
Symbol Parameter Value Unit
PD
Power Dissipation 500 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 300
°C/W
Symbol Parameter Conditions Min. Max Units
VR
Breakdown Voltage IR
= 100
μA80V
VF
Forward Voltage IF
= 100mA 1.0 V
IR
Reverse Leakage VR
= 60V
25
nA
VR
= 60V, T
A
= 150
°C
5
μA
DO-35
Color Band Denotes Cathode
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V67602S150PF | IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP |
| 1N483B_T50R | DIODE SS 80V 200MA DO-35 |
| IDT71V67602S150BQI8 | IC SRAM 9MBIT 150MHZ 165FBGA |
| VI-24B-EV-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 95V 150W |
| 1N459A_T50R | DIODE HI CONDUCTANCE 200V DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N483BUR | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SWITING 225V 0.2A 2PIN DO-213AA - Bulk |
| 1N483C | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:silicon diode |
| 1N483M | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:silicon diode |
| 1N484 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:silicon diode |
| 1N4840 | 制造商:NJSEMI 制造商全称:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:Diode |
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