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参数资料
| 型号： | 1N485B_T50R |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 61K |
| 描述： | DIODE SS 200V 200MA DO-35 |
| 标准包装： | 30,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 25nA @ 175V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-35 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
1N485B
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
1N485B, Rev. A
1N485B
Small Signal Diode
Absolute Maximum Ratings*
TA
= 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
DO-35
Color Band Denotes Cathode
Electrical Characteristics
TA
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage
200 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current 200 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
1.0
4.0
A
A
Tstg
Storage Temperature Range -65 to +200
°C
TJ
Operating Junction Temperature 175
°C
Symbol
Parameter
Value
Units
PD
Power Dissipation 500 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 300
°C/W
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
VR
Breakdown Voltage
IR
= 5
μA
200 V
VF
Forward Voltage I
F
= 100 mA 1.0 V
IR
Reverse Current V
R
= 175 V
VR
= 175 V, T
A
= 150
°C
5
μA
25
nA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V67602S150PF8 | IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP |
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| IDT71V67602S150PF | IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP |
| 1N483B_T50R | DIODE SS 80V 200MA DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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