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参数资料
| 型号： | 1N5061GP/70 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC |
| 封装： | PLASTIC, DO-15, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 328K |
| 代理商： | 1N5061GP/70 |
www.vishay.com
2
Document Number 88513
17-Oct-05
1N5059GP thru 1N5062GP
Vishay General Semiconductor
Electrical Characteristics
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Thermal Characteristics
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Notes:
(1) Thermal resistance from junction to ambient at 0.375" (9.5 mm) lead length, P.C.B. mounted
*JEDEC registered values
Ratings and Characteristics Curves
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Parameter
Test condition
Symbol
1N5059GP 1N5060GP 1N5061GP 1N5062GP
Unit
* Max. instantaneous forward
voltage
at 1.0 A, TA = 75 °C
VF
1.2
V
* Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
TA = 25 °C
TA = 175 C
IR
5.0
300
A
Typical reverse recovery time
at IF = 0.5 A, IR = 1.0 A,
Irr = 0.25 A
trr
2.0
s
Typical junction capacitance
at 4.0 V, 1 MHz
CJ
15
pF
Parameter
Symbol
1N5059GP 1N5060GP 1N5061GP 1N5062GP
Unit
Typical thermal resistance(1)
RθJA
RθJL
45
20
°C/W
Figure 1. Forward Current Derating Curve
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.375" (9.5mm)
Lead Length
60 Hz
Resistive or
Inductive Load
Ambient Temperature, °C
A
v
er
age
F
o
rw
ard
Rectified
C
u
rrent
(A)
Figure 2. Maximum Non-repetitive Peak Forward Surge Current
0
1
10
100
10
20
30
40
50
TA = 100 °C
8.3 ms Single Half Sine-Wave
(JEDEC Method)
Number of Cycles at 60 Hz
Pe
a
k
F
o
rw
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5062GP/4E | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC |
| 1N5237B-GT3 | 8.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N5226B-T3 | 3.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N5228B-T3 | 3.9 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N5240B-T3 | 10 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 1N5061GP-E3/4 | 功能描述:整流器 1.0 Amp 600 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N5061GP-E3/51 | 功能描述:整流器 1.0 Amp 600 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N5061GP-E3/54 | 功能描述:整流器 1.0 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N5061GPHE3/54 | 功能描述:整流器 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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