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参数资料
| 型号： | 1N5229CTA |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 4.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH |
| 封装： | GLASS, DO-35, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/23页 |
| 文件大小： | 207K |
| 代理商： | 1N5229CTA |
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
Motorola TVS/Zener Device Data
6-1
500 mW DO-35 Glass Data Sheet
500 mW DO-35 Glass
Zener Voltage Regulator Diodes
GENERAL DATA APPLICABLE TO ALL SERIES IN
THIS GROUP
500 Milliwatt
Hermetically Sealed
Glass Silicon Zener Diodes
Specification Features:
Complete Voltage Range — 1.8 to 200 Volts
DO-204AH Package — Smaller than Conventional DO-204AA Package
Double Slug Type Construction
Metallurgically Bonded Construction
Mechanical Characteristics:
CASE: Double slug type, hermetically sealed glass
MAXIMUM LEAD TEMPERATURE FOR SOLDERING PURPOSES: 230
°C, 1/16″ from
case for 10 seconds
FINISH: All external surfaces are corrosion resistant with readily solderable leads
POLARITY: Cathode indicated by color band. When operated in zener mode, cathode
will be positive with respect to anode
MOUNTING POSITION: Any
WAFER FAB LOCATION: Phoenix, Arizona
ASSEMBLY/TEST LOCATION: Seoul, Korea
MAXIMUM RATINGS (Motorola Devices)*
Rating
Symbol
Value
Unit
DC Power Dissipation and TL ≤ 75°C
Lead Length = 3/8
″
Derate above TL = 75°C
PD
500
4
mW
mW/
°C
Operating and Storage Temperature Range
TJ, Tstg
– 65 to +200
°C
* Some part number series have lower JEDEC registered ratings.
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180 200
TL, LEAD TEMPERATURE (°C)
P
D
,MAXIMUM
POWER
DISSIP
A
TION
(W
A
TTS)
Figure 1. Steady State Power Derating
HEAT
SINKS
3/8”
1N5221B
SERIES
CASE 299
DO-204AH
GLASS
500 mW
DO-35 GLASS
GLASS ZENER DIODES
500 MILLIWATTS
1.8–200 VOLTS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5229DRL | 4.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH |
| 1N5229D | 4.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH |
| 1N5230BRL2 | 4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH |
| 1N5230DTA | 4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH |
| 1N5231BTA2 | 5.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5229C-TAP | 功能描述:稳压二极管 4.3 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N5229C-TP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode Zener Single 4.3V 2% 500mW 2-Pin DO-35 T/R |
| 1N5229C-TR | 功能描述:稳压二极管 4.3 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N5229DO35E3 | 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO-35 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳（标称）(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗（最大）(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
| 1N5229TA | 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.3V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 950mV 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 |
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