型号: | 1N5229CTA |
厂商: | MOTOROLA INC |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 4.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH |
封装: | GLASS, DO-35, 2 PIN |
文件页数: | 22/23页 |
文件大小: | 207K |
代理商: | 1N5229CTA |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N5229DRL | 4.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH |
1N5229D | 4.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH |
1N5230BRL2 | 4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH |
1N5230DTA | 4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N5229C-TAP | 功能描述:稳压二极管 4.3 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N5229C-TP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode Zener Single 4.3V 2% 500mW 2-Pin DO-35 T/R |
1N5229C-TR | 功能描述:稳压二极管 4.3 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N5229DO35E3 | 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO-35 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳(标称)(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗(最大)(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
1N5229TA | 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):22 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 950mV 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 |