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参数资料
| 型号： | 1N5257BTR-RECU |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 33 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 31K |
| 代理商： | 1N5257BTR-RECU |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N6011B | 30 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N983B | 82 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N991BTR | 180 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N3681BBK | 12 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 1N3682BBK | 13 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5257BUR-1 | 制造商:Aeroflex 功能描述:COMMERCIAL ZENER VOLTAGE REGUL 制造商:Aeroflex / Metelics 功能描述:COMMERCIAL ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 33V 5% 500MW 2PIN DO-213AA - Bulk |
| 1N5257C-TAP | 功能描述:稳压二极管 33 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N5257C-TR | 功能描述:稳压二极管 33 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N5257D | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Zener Single 33V 1% 500mW 2-Pin DO-35 |
| 1N5257TA | 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:58 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 25V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 |
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