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参数资料
| 型号： | 1N5338B/TR8 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 5.1 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | PLASTIC, T-18, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 356K |
| 代理商： | 1N5338B/TR8 |
Silicon 5 Watt Zener Diodes
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 3
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
1N5333B thru 1N5388B, e3
1N5
333
B
thr
u
1N53
88
B
OUTLINE AND CIRCUIT
Pd,
Maximum
Power
Dissi
p
ation
(Watts
)
TL
TA on FR4
PC board
TL, Lead temperature (
oC) 3/8” from body. or
TA ambient temperature on FR4 PC Board
FIGURE 1
FIGURE 2
Power Derating Curve
Typical Capacitance vs.
Reverse Voltage for 5 Watt Zeners
PACKAGE DIMENSIONS
FIGURE 3
,e3
Typical Capacitance vs.
Reverse Voltage for 5 Watt Zeners
Copyright
2008
8-06-2008 REV D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 1N5338C/TR8 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 5.1V, ? 2% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 5.1V 2% T-18 |
| 1N5338CE3/TR12 | 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18，轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:3,000 |
| 1N5338CE3/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18，轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,250 |
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