型号: | 1N5381BBK |
厂商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 130 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 35K |
代理商: | 1N5381BBK |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N2837RB | 91 V, 50 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-3 |
1N2843RB | 150 V, 50 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-3 |
1N2991B | 36 V, 10 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-4 |
1N3000RB | 62 V, 10 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-4 |
1N3065TR-RMCU | 0.075 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N5381BE3/TR12 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 130V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 130V 5% T-18 |
1N5381BE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 130V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 130V 5% T-18 |
1N5381BE3/TR8 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 130V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 130V 5% T-18 |
1N5381BG | 功能描述:稳压二极管 130V 5W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N5381BRL | 功能描述:稳压二极管 130V 5W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |