型号: | 1N5387AE3 |
厂商: | MICROSEMI CORP |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 190 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 356K |
代理商: | 1N5387AE3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N5387C/TR8 | 190 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5387DE3/TR8 | 190 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5387E3 | 190 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
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1N6358 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N5387AE3/TR12 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 190V, ? 10% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 190V 10% T-18 |
1N5387AE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 190V, ? 10% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 190V 10% T-18 |
1N5387AE3/TR8 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 190V, ? 10% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 190V 10% T-18 |
1N5387B | 功能描述:DIODE ZENER 190V 5W T-18 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳(标称)(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗(最大)(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
1N5387B/TR12 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 190V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 190V 5% T-18 |