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参数资料
| 型号： | 1N5387AE3 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 190 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 356K |
| 代理商： | 1N5387AE3 |
Silicon 5 Watt Zener Diodes
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 3
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
1N5333B thru 1N5388B, e3
1N5
333
B
thr
u
1N53
88
B
OUTLINE AND CIRCUIT
Pd,
Maximum
Power
Dissi
p
ation
(Watts
)
TL
TA on FR4
PC board
TL, Lead temperature (
oC) 3/8” from body. or
TA ambient temperature on FR4 PC Board
FIGURE 1
FIGURE 2
Power Derating Curve
Typical Capacitance vs.
Reverse Voltage for 5 Watt Zeners
PACKAGE DIMENSIONS
FIGURE 3
,e3
Typical Capacitance vs.
Reverse Voltage for 5 Watt Zeners
Copyright
2008
8-06-2008 REV D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5387C/TR8 | 190 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 1N5387AE3/TR8 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 190V, ? 10% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 190V 10% T-18 |
| 1N5387B | 功能描述:DIODE ZENER 190V 5W T-18 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳（标称）(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗（最大）(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
| 1N5387B/TR12 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 190V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 190V 5% T-18 |
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