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参数资料
| 型号： | 1N5400RLG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 115K |
| 描述： | DIODE STD REC 3A 50V DO201AD |
| 产品目录绘图： | Rectifier DO-201AD Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 50V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 3A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 50V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-201AA，DO-27，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-201AD |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 产品目录页面： | 1565 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 1N5400RLGOSCT |
1N5400 thru 1N5408
http://onsemi.com
3
Lead Length, L (IN)
Mounting
Method
1/8
1/4 1/2
1
2
3
50
58
RJA
51 53
59 61
28
°C/W
°C/W
°C/W
TYPICAL VALUES FOR
RJA
IN STILL AIR
Data shown for thermal resistance junction?to?ambient (RJA) for the
mountings shown is to be used as typical guideline values for preliminary
engineering or in case the tie point temperature cannot be measured.
NOTE 1 — AMBIENT MOUNTING DATA
MOUNTING METHOD 1
P.C. Board Where Available
Copper Surface area is small
MOUNTING METHOD 2
Vector Push?In Terminals T?28
MOUNTING METHOD 3
P.C. Board with
1?1/2” x 1?1/2”
Copper Surface
3/4
55
63
L
L
L
L
L = 1/2”
Board Ground Plane
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5400-T | 功能描述:整流器 3.0A 50V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N5400-T/R | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode Standard Recovery Rectifier 50V 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
| 1N5400-T3 | 制造商:WTE 制造商全称:Won-Top Electronics 功能描述:3.0A SILICON RECTIFIER |
| 1N5400TA | 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:30pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1,250 |
| 1N5400-TB | 制造商:WTE 制造商全称:Won-Top Electronics 功能描述:3.0A SILICON RECTIFIER |
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