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参数资料
| 型号： | 1N5402G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 115K |
| 描述： | DIODE STD REC 3A 200V DO-201AD |
| 产品变化通告： | DS Update for 1N5400 Series |
| 产品目录绘图： | Rectifier DO-201AD Pkg |
| 标准包装： | 500 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 3A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 200V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-201AA，DO-27，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-201AD |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 1565 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 1N5402GOS |
1N5400 thru 1N5408
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
1N5400
1N5401
1N5402
1N5404
1N5406
1N5407
1N5408
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
50
100
200
400
600
800
1000
V
Non?repetitive Peak Reverse Voltage
VRSM
100
200
300
525
800
1000
1200
V
Average Rectified Forward Current
(Single Phase Resistive Load,
1/2 in. Leads, TL
= 105
°C)
IO
3.0
A
Non?repetitive Peak Surge Current
(8 ms Single Half?Sine?Wave)
IFSM
200 (one cycle)
A
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ
Tstg
?
65 to +150
?
65 to +175
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Typ
Unit
Thermal Resistance, Junction?to?Ambient (PC Board Mount, 1/2 in. Leads)
RJA
53
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Forward Voltage (IF
= 3.0 A, T
A
= 25
°C)
vF
?
?
1.0
V
Reverse Current (Rated DC Voltage)
TA
= 25
°C
TA
= 100
°C
IR
?
?
?
?
10
50
A
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
60 Hz resistive or inductive loads.
For capacitive load, derate current by 20%.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 1N5402G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:500 |
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| 1N5402G R0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,250 |
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