参数资料
型号: 1N5402G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/6页
文件大小: 115K
描述: DIODE STD REC 3A 200V DO-201AD
产品变化通告: DS Update for 1N5400 Series
产品目录绘图: Rectifier DO-201AD Pkg
标准包装: 500
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 200V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1V @ 3A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 200V
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-201AA,DO-27,轴向
供应商设备封装: DO-201AD
包装: 散装
产品目录页面: 1565 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 1N5402GOS
1N5400 thru 1N5408
http://onsemi.com
3
Lead Length, L (IN)
Mounting
Method
1/8
1/4 1/2
1
2
3
50
58
RJA
51 53
59 61
28
°C/W
°C/W
°C/W
TYPICAL VALUES FOR
RJA
IN STILL AIR
Data shown for thermal resistance junction?to?ambient (RJA) for the
mountings shown is to be used as typical guideline values for preliminary
engineering or in case the tie point temperature cannot be measured.
NOTE 1 — AMBIENT MOUNTING DATA
MOUNTING METHOD 1
P.C. Board Where Available
Copper Surface area is small
MOUNTING METHOD 2
Vector Push?In Terminals T?28
MOUNTING METHOD 3
P.C. Board with
1?1/2” x 1?1/2”
Copper Surface
3/4
55
63
L
L
L
L
L = 1/2”
Board Ground Plane
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参数描述
1N5402-G 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 VR=200V, IO=3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
1N5402G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:500
1N5402G B0G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:500
1N5402G R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
1N5402G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,250