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参数资料
| 型号： | 1N5406-G |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 80K |
| 描述： | RECTIFIER GP 600V 3.0A DO27 |
| 标准包装： | 1,200 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 3A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 600V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-201AD，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-201AD |
| 包装： | 带盒（TB） |
      General Purpose Silicon Rectifiers QW-BG015 Page 1 REV:A V oltage: 50 to 1000 V Current: 3.0 A RoHS Device 1N5400-G Thru. 1N5408-G Dimensions in inches and (millimeter) DO-27 (DO-201AD) Features -Low forward voltage drop. - High reliability. -High current capability . - High surge current capability. Mechanical data -Case: M olded plastic -Epoxy: UL 94V -0 rate flame retardant -Polarity: Color band denotes cathode end -Mounting position: Any -W eight: 1.2 grams 1.000(25.40) Min. 1.000(25.40) Min. 0.375(9.53) 0.335(8.51) 0.052(1.32) DIA. 0.048(1.22) 0.220(5.60) DIA. 0.197(5.00) -Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-202, method 208 guaranteed Parameter Symbol 1N5400 -G 1N5408 -G Unit Maximum repetitive peak reverse voltage Maximum RMS voltage Maximum DC blocking voltage Maximum average forward rectified current .375”(9.5mm) Lead length @T A=75°C Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method) Maximum instantaneous forward voltage @3.0A Maximum DC reverse current @TJ=25°C at rated DC blocking voltage 50 35 50 VRRM VRMS VDC IF(AV) IFSM VF IR 3.0 200 1.0 5.0 V V V A A V μA Operating temperature range Storage temperature range Typical thermal resistance (Note 1) RθJA TJ TSTG 18 -65 to +125 -65 to +150 °C °C °C/W NOTES: 1. Thermal resistance from junction to ambient 0.375” (9.5mm) lead length. 100 70 100 200 140 200 400 280 400 600 420 600 800 560 800 1000 700 1000 @TJ=100°C 100 Maximum Ratings and Electrical Characteristics (at TA=25°C unless otherwise noted) Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. 1N5401 -G 1N5402 -G 1N5404 -G 1N5406 -G 1N5407 -G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5402-G | RECTIFIER GP 200V 3.0A DO27 |
| 1N5400-G | RECTIFIER GP 50V 3.0A DO27 |
| EBA22DTKH | CONN EDGECARD 44POS DIP .125 SLD |
| EEM22DSUS | CONN EDGECARD 44POS DIP .156 SLD |
| BRL3225T100K | INDUCTOR 10UH 900MA 1210 SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5406G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 |
| 1N5406G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:500 |
| 1N5406G R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 600V 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
| 1N5406G R0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,250 |
| 1N5406G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Standard Recovery Rectifier |
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