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参数资料
| 型号： | 1N5406-G |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 80K |
| 描述： | RECTIFIER GP 600V 3.0A DO27 |
| 标准包装： | 1,200 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 3A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 600V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-201AD，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-201AD |
| 包装： | 带盒（TB） |
                Page 3 QW-BG015 REV:A General Purpose Silicon Rectifiers B T aping Specification For Axial Lead Diodes L1 L2 E A Z T E 90° ± 5° L H W DD Do D1 W0 L1 0.039 (max) 1.00 (max) L2 0.039 (max) 1.00 (max) B Z T E 10.00 ± 0.50 52.00 ± 0.50 6.00 ± 0.40 1.20 (max) 1.00 (max) 0 2.047 ± 0.020 0.394 ± 0.02 0.047 (max) 0.236 ± 0.016 0.039 (max) A SYMBOL (mm) (inch) L W H 75.00 2.953 145.00 5.709 260.00 10.236 D 330.00 13.000 D1 D0 85.70 ± 0.30 3.374 ± 0.012 16.60 ± 0.40 0.654 ± 0.016 W0 72.00 ± 3.00 2.835 ± 0.118 (inch) (mm) SYMBOL DO-27 (DO-201AD) DO-27 (DO-201AD) |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5402-G | RECTIFIER GP 200V 3.0A DO27 |
| 1N5400-G | RECTIFIER GP 50V 3.0A DO27 |
| EBA22DTKH | CONN EDGECARD 44POS DIP .125 SLD |
| EEM22DSUS | CONN EDGECARD 44POS DIP .156 SLD |
| BRL3225T100K | INDUCTOR 10UH 900MA 1210 SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5406G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 |
| 1N5406G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:500 |
| 1N5406G R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 600V 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
| 1N5406G R0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,250 |
| 1N5406G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Standard Recovery Rectifier |
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