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参数资料
| 型号： | 1N5417 |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | 1N5417 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5618 | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AP |
| 1N5618 | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N5619GP | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC |
| 1N5621 | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AP |
| 1N5624GP/100 | 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5417/4 | 功能描述:整流器 3.0 Amp 200 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N5417C.TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:4.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:250pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 供应商器件封装:轴向 工作温度 - 结:- 标准包装:1 |
| 1N5417-E3/54 | 功能描述:整流器 3.0 Amp 200 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N5417JAN | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
| 1N5417JANTX | 制造商:Sensitron Semiconductors 功能描述:UP |
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