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参数资料
| 型号： | 1N5553V |
| 厂商： | SENSITRON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 132K |
| 代理商： | 1N5553V |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5554S | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N5614S | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N5615US | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N5616S | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N5617V | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5554 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 1KV 5A 2-Pin Case E 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:STD RECOVERY RECTFR 1KV 5A 2PIN E - Bulk 制造商:Microsemi 功能描述:Diode Switching 1KV 5A 2-Pin Case E |
| 1N5554/4 | 功能描述:整流器 3.0 Amp 1000 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N5554C.TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V 电流 - 平均整流（Io）:5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:92pF @ 5V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 供应商器件封装:轴向 工作温度 - 结:- 标准包装:1 |
| 1N5554-E3/54 | 功能描述:整流器 3.0 Amp 1000 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N5554J | 制造商: 功能描述: 制造商:MILITARY SPECIFICATIONS P 功能描述: 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: |
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