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参数资料
| 型号： | 1N5619GP/65-E3 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC |
| 封装： | PLASTIC, DO-15, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 324K |
| 代理商： | 1N5619GP/65-E3 |
www.vishay.com
2
Document Number 88522
19-Sep-05
1N5615GP thru 1N5623GP
Vishay General Semiconductor
Electrical Characteristics
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Thermal Characteristics
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Notes:
(1) Thermal resistance from junction to ambient at 0.375" (9.5 mm) lead length, P.C.B. mounted
Ratings and Characteristics Curves
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Parameter
Test condition
Symbols 1N5615GP 1N5617GP 1N5619GP 1N5621GP 1N5623GP Units
Maximum
instantaneous
forward voltage
at 1.0 A
VF
1.2
V
Maximum DC
reverse current at
rated DC blocking
voltage
TA= 25 °C
TA= 100 °C
IR
0.5
25
A
Maximum reverse
recovery time
at IF = 0.5 A, IR = 1.0 A,
Irr = 0.25 A
trr
150
250
300
500
ns
Typical junction
capacitance
at 4.0 V, 1 MHz
CJ
25
pF
Parameter
Symbols 1N5615GP 1N5617GP 1N5619GP 1N5621GP 1N5623GP Units
Typical thermal resistance (1)
RθJA
45
°C/W
Figure 1. Forward Current Derating Curve
Ambient Temperature (°C)
A
v
erage
F
or
w
ard
Rectified
C
u
rrent
(A)
25
50
75
100
125
150
175
0
0.25
0.5
0.75
1.0
0.375" (9.5mm) Lead Length
Resistiveor
Inductive Load
Figure 2. Maximum Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Peak
For
w
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
Number of Cycles at 60 Hz
TA = 55 °C
8.3 ms Single Half Sine-Wave
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5621GP/72-E3 | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC |
| 1N5622GP/51-E3 | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC |
| 1N5623GP/4H-E3 | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC |
| 1.5KA10-E3/65 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1.5KA10-E3-1 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5619GP-E3/1 | 功能描述:整流器 600 Volt 1.0A 250ns Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N5619GP-E3/4 | 功能描述:整流器 1.0 Amp 600 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N5619GP-E3/51 | 功能描述:整流器 1.0 Amp 600 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N5619GP-E3/54 | 功能描述:整流器 1.0 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N5619GP-E3/73 | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB） 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:250ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:2,000 |
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