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参数资料
| 型号： | 1N5619GP/65-E3 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC |
| 封装： | PLASTIC, DO-15, 2 PIN |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 324K |
| 代理商： | 1N5619GP/65-E3 |
Legal Disclaimer Notice
Vishay
Document Number: 91000
www.vishay.com
Revision: 08-Apr-05
1
Notice
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5621GP/72-E3 | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC |
| 1N5622GP/51-E3 | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC |
| 1N5623GP/4H-E3 | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC |
| 1.5KA10-E3/65 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1.5KA10-E3-1 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5619GP-E3/1 | 功能描述:整流器 600 Volt 1.0A 250ns Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N5619GP-E3/4 | 功能描述:整流器 1.0 Amp 600 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N5619GP-E3/51 | 功能描述:整流器 1.0 Amp 600 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N5619GP-E3/54 | 功能描述:整流器 1.0 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N5619GP-E3/73 | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB） 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:250ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:2,000 |
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