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参数资料
| 型号： | 1N5627GP/60-E3 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 293K |
| 代理商： | 1N5627GP/60-E3 |
www.vishay.com
2
Document Number 88524
14-Oct-05
1N5624GP thru 1N5627GP
Vishay General Semiconductor
Electrical Characteristics
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Notes:
(1) Pulse test: 300 s pulse width, 1 % duty cycle
Thermal Characteristics
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Notes:
(1) Thermal resistance from junction to ambient, and from junction to lead at 0.375" (9.5 mm) lead length, P.C.B. mounted
* JEDEC registered values
Ratings and Characteristics Curves
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Parameter
Test condition
Symbol
1N5624GP
1N5625GP
1N5626GP
1N5627GP
Unit
* Maximum instantaneous
forward voltage
at 3.0 A (1)
TA = 25 °C
TA = 70 °C
VF
1.0
0.95
V
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
TA = 25 °C
IR
5.0
A
TA = 150 °C
300
200
Typical reverse recovery time
at IF = 0.5 A, IR = 1.0 A,
Irr = 0.25 A
trr
3.0
s
Typical junction capacitance
at 4.0 V, 1 MHz
CJ
40
pF
Parameter
Symbol
1N5624GP
1N5625GP
1N5626GP
1N5627GP
Unit
Typical thermal resistance(1)
RθJA
20
°C/W
Figure 1. Forward Current Derating Curve
0
25
0
50
75
100
125
150
175
4.0
3.0
1.0
2.0
60 Hz
Resistive or
Inductive Load
0.375” (9.5 mm) Lead Length
Ambient Temperature (°C)
A
v
er
age
F
o
rw
ard
Rectified
C
u
rrent
(A)
Figure 2. Maximum Non-repetitive Peak Forward Surge Current
200
100
10
0
1
110
TJ = TJ max.
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Number of Cycles at 60 Hz
A
v
er
age
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(
A)
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