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参数资料
| 型号： | 1N5627GP/60-E3 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 293K |
| 代理商： | 1N5627GP/60-E3 |
1N5624GP thru 1N5627GP
Document Number 88524
14-Oct-05
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
3
Package outline dimensions in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Characteristics
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
0.1
10
100
1
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
TJ = 25 °C
Pulse Width = 300 s
1% Duty Cycle
020
60
0
1
0
4
80
0.01
0.1
1
10
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(
A)
TJ = 125 °C
TJ = 25 °C
TJ = 75 °C
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capacitance
(pF)
0
1
0
1
100
10
TJ = 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig = 50mVp-p
0.210 (5.3)
0.190 (4.8)
Dia.
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
Dia.
1.0 (25.4)
Min.
0.375 (9.5)
0.285 (7.2)
1.0 (25.4)
Min.
DO-201AD
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