型号: | 1N5806 |
厂商: | SENSITRON SEMICONDUCTOR |
元件分类: | 整流器 |
英文描述: | 2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
封装: | HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 39K |
代理商: | 1N5806 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N6621S | 2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
1N6621V | 2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
1N6622US | 1.2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
1N6629U | 2.8 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
100L100 | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N5806/TR | 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 电流 - 平均整流(Io):2.5A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:975mV @ 2.5A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 150V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 10V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:A,轴向 供应商器件封装:A,轴向 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:100 |
1N5806C.TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 电流 - 平均整流(Io):2.5A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:875mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 150V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 供应商器件封装:轴向 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 |
1N5806CSM4 | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:HIGH EFFICIENCY POWER RECTIFIER IN A CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE |
1N5806D2A | 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:DIODE HI-REL RECT 150V 1A DLCC2 |
1N5806D2B | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIER DIODE |