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参数资料
| 型号： | 1N5806 |
| 厂商： | SENSITRON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | 1N5806 |
221 West Industry Court Deer Park, NY 11729-4681 Phone (631) 586 7600 Fax (631) 242 9798
World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-Mail Address - sales@sensitron.com
SENSITRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
DATA SHEET 4970, REV. D
MECHANICAL DIMENSIONS In Inches / (mm)
MECHANICAL DIMENSIONS In Inches / (mm), min./max.
Note: The cathode side is marked with a dark colored band on one side of the diode body.
SS5802,US thru SS5806,US
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N6621S | 2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N6621V | 2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N6622US | 1.2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N6629U | 2.8 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 100L100 | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5806/TR | 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:975mV @ 2.5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 10V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:A，轴向 供应商器件封装:A，轴向 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:100 |
| 1N5806C.TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:875mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 5V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 供应商器件封装:轴向 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 |
| 1N5806CSM4 | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:HIGH EFFICIENCY POWER RECTIFIER IN A CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE |
| 1N5806D2A | 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:DIODE HI-REL RECT 150V 1A DLCC2 |
| 1N5806D2B | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIER DIODE |
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