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参数资料
| 型号： | 1N5818 |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | 1N5818 |
RATING& CHARACTERISTIC CURVES FOR SERIES 1N5817- 1N5819
Data Sheet No. SBDA-101-2B
FIGURE 4. TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
FIGURE 3. TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
Instantaneous Forward Voltage (Volts)
0.10
1.0
10.0
Percent of Rated Peak Reverse Voltage
.01
0.1
1.0
10
100
FIGURE 1. FORWARD CURRENT DERATING CURVE
Case Temperature, C
o
FIGURE 2. MAXIMUM NON-REPETITIVE SURGE CURRENT
Number of Cycles at 60 Hz
1
0
10
100
25
20
15
10
5
1 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
4.97bsbda101
1.6
1.8
2.0
NOTES
(1) Single Phase, Half Wave, 60 Hz, Resistive or Inductive
Load, 0.375" (9mm) Lead Length
(2) JEDEC Method, 8.3 mSec. Single Half Sine Wave
(3) T = 25 C, Pulse Width= 300 Sec, 1.0% Duty Cycle
J
o
NOTE 1
NOTE 2
NOTE 3
A2
T = 125 C
J
o
T = 25 C
J
o
FIGURE 5. TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
Reverse Voltage, (Volts)
10
1
50
10
400
100
0.1
T = 25 C
J
o
T = 75 C
J
o
1N5819
1N5817
1N5818
20.0
0.8
1.2
1.4
Tel.: (310) 767-1604
Fax: (310) 767-7958
DIOTEC ELECTRONICS, INC.
Gardena, CA 90248
U.S.A
18020 Hobart Blvd., Unit B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5818 | 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N5819-1S | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N5819-1V | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N6650-1V | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N5819UR-1S | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5818 _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 1N5818 A0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:550mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:3,000 |
| 1N5818 B0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:550mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:1,000 |
| 1N5818 BK | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:550mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:2,000 |
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