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参数资料
| 型号： | 1N5818 |
| 厂商： | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 封装： | DO-41, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | 1N5818 |
NOTES : 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2.Thermal Resistance Junction to Ambient.
VRMS
VDC
VRRM
I(AV)
IFSM
VF
@TA
=90 C
1N5817 thru 1N5819
FEATURES
Metal-Semiconductor junction with guard ring
Epitaxial construction
Low forward voltage drop
High current capability
The plastic material carries UL recognition 94V-0
For use in low voltage,high frequency inverters,free
wheeling,and polarity protection applications
MECHANICAL DATA
Case : JEDEC DO-41 molded plastic
Polarity : Color band denotes cathode
Weight : 0.012 ounces, 0.34 grams
Mounting position : Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
1N5818
30
21
30
1N5817
20
14
20
1N5819
40
28
40
Maximum Average Forward
Rectified Current
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
super imposed on rated load (JEDEC Method)
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum forward Voltage at 1.0A DC
1.0
25
0.450
TJ
Operating Temperature Range
-55 to +125
C
TSTG
Storage Temperature Range
-55 to +150
C
Typical Thermal Resistance (Note 2)
R0JA
80
C/W
CJ
Typical Junction Capacitance (Note 1)
110
pF
IR
@TJ=100 C
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
@TJ=25 C
1
10
mA
V
A
V
UNIT
V
All Dimensions in millimeter
Max.
Min.
DO-41
Dim.
A
D
C
B
25.4
5.20
-
4.10
0.71
2.00
2.70
0.86
DO-41
A
C
D
A
B
CHARACTERISTICS
SYMBOL
Maximum forward Voltage at 3.0A DC
VF
0.550
0.600
0.900
0.875
0.750
V
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
REVERSE VOLTAGE - 20 to 40 Volts
FORWARD CURRENT - 1.0 Ampere
SEMICONDUCTOR
LITE-ON
REV. 2, 01-Dec-2000, KDHC01
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 1N5819-1S | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N5819-1V | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
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