参数资料
型号: 1N5818
厂商: LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述: 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
封装: DO-41, 2 PIN
文件页数: 2/2页
文件大小: 34K
代理商: 1N5818
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
1N5817 thru 1N5819
IN
S
T
A
N
T
A
NEOUS
F
O
R
W
ARD
C
U
R
E
N
T
,(
A
)
FIG.1 - FORWARD CURRENT DERATING CURVE
AVERAG
E
F
O
R
W
A
R
D
CURRENT
A
M
P
E
R
E
S
20
60
80
100
120
0.6
0.1
40
0.2
1.0
SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz
RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD
AMBIENT TEMPERATURE , C
0.8
0.4
140
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
PEAK
F
O
RW
A
R
D
SURG
E
C
U
R
E
N
T
,
AM
PERES
FIG.2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE SURGE CURRENT
1
5
10
50
100
2
20
0
10
20
30
40
Pulse width 8.3ms
Single Half-Sine-Wave
(JEDEC METHOD)
FIG.4 - TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE , VOLTS
0.2
0.4
0
0.1
1.0
10
0.6
0.8
1.0
1.2
TJ = 25 C
PULSE WIDTH 300us
1N5817
1N5818
1N5819
CAPACI
T
A
N
C
E
,
(p
F
)
FIG.3 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
REVERSE VOLTAGE , VOLTS
10
1
100
10
100
4
TJ = 25 C, f= 1MHz
REV. 2, 01-Dec-2000, KDHC01
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