参数资料
型号: 1N5819
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 1/3页
文件大小: 104K
描述: DIODE SCHOTTKY 1A 40V DO41
标准包装: 1
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 40V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 600mV @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 500µA @ 40V
电容@ Vr, F: 110pF @ 4V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向
供应商设备封装: DO-41
包装: 剪切带 (CT)
产品目录页面: 1611 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 1N5819FSCT
1N5817 - 1N5819 — Schott
ky Barrier Rectifier
? 2010 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
1N5817 - 1N5819 Rev. C2 1
November 2010
1N5817 - 1N5819
Schottky Barrier Rectifier
Features
? 1.0 ampere operation at TA
= 90
°C with no thermal runaway.
? For use in low voltage, high frequency inverters free wheeling, and polarity protection applications.
Absolute Maximum Ratings*
T
A = 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Thermal Characteristics
* Mounted on Cu-pad Size 5mm x 5mm on PCB
Electrical Characteristics
(per diode)
* Pulse Test: Pulse Width=300μs, Duty Cycle=2%
Symbol Parameter
Value
Units
1N5817 1N5818 1N5819
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage
20 30 40 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current
.375” lead length @ T
A
= 90
°C
1.0 A
IFSM
Non-repetitive Peak Surge Current
8.3 ms Single Half-Sine Wave
25 A
TJ, TSTG
Operating Junction and Storage Temperature -65 to +125
°C
Symbol Parameter Value Units
PD
Power Dissipation 1.25 W
RθJA
Maximum Thermal Resistance, Junction to Ambient 100
°C/W
RθJC
Maximum Thermal Resistance, Junction to Case 45
°C/W
Symbol Parameter
Value
Units
1N5817 1N5818 1N5819
VF
Forward Voltage @ 1.0 A
@ 3.0 A
450
750
550
875
600
900
mV
mV
IR
Reverse Current @ rated VR
T
C
= 25
°C
TC
= 100
°C
0.5
10
mA
mA
CT
Total Capacitance
V
R
= 4.0 V, f = 1.0 MHz
110 pF
DO-41 plastic case
COLOR BAND DENOTES CATHODE
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