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参数资料
| 型号： | 1N5819 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 104K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 1A 40V DO41 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 40V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 600mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500µA @ 40V |
| 电容@ Vr, F： | 110pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-41 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 产品目录页面： | 1611 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 1N5819FSCT |
 1N5817 - 1N5819 — Schott ky Barrier Rectifier ? 2010 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com 1N5817 - 1N5819 Rev. C2 2 00 20 40 60 80 100 120 140 0.25 0.5 0.75 1 Lead Temperature [oC] Average Rectified Forward Current, I F [A] SINGLE PHASE HALF WAVE 60HZ RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD .375" 9.5 mm LEAD LENGTHS 100.1 0.5 1 5 10 40 60 100 20 40 60 80 100 200 400 Reverse Voltage, VR [V] Total Capacitance, C T [pF] T = 25 CJ o 012 51020 50100 5 10 15 20 25 30 Number of Cycles at 60Hz Peak Forward Surge Current, I FSM [A] 8.3ms Sin gle Half Sine-Wave JEDEC Method 0.10.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 1 10 20 Forward Voltage, VF [V] Forward Current, I F [A] 1N5817 1N5818 1N5819 T = 25 C J o Pulse Width = 300μμμμS 1% Duty Cycle Figure 1. Forward Current Derating Curve Figure 2. Forward Voltage Characteristics Figure 3. Non-Repetitive Surge Current Figure 4. Total Capacitance Typical Performance Characteristics |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5819 _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 1N5819 A0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:600mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 |
| 1N5819 B0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:600mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:1,000 |
| 1N5819 BK | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:600mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:2,000 |
| 1N5819 R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Schottky 40V 1A 2-Pin DO-41 T/R |
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