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参数资料
| 型号： | 1N5819UR |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB |
| 封装： | HERMETIC SEALED, GLASS, LL41, MELF-2 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 454K |
| 代理商： | 1N5819UR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5819 | 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
| 1N5819 | 1 Amp Schottky Rectifier |
| 1N5820RL | 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N5821RL | 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N5821 | 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5819UR1 | 制造商:CDI 功能描述: |
| 1N5819UR-1 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Schottky 45V 1A 2-Pin DO-213AB 制造商:Sensitron Semiconductors 功能描述:Diode Schottky 45V 1A 2-Pin DO-213AB 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SCHOTTKY RECTIFIER, DO-41, LAW - Bulk |
| 1N5819UR-1/TR | 功能描述:SCHOTTKY 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:490mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 45V 不同?Vr，F 时的电容:70pF @ 5V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA 供应商器件封装:DO-213AA 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:100 |
| 1N5819UR-1JAN | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
| 1N5819UR-1JANTX | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
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