收藏本站
参数资料
型号： 1N6013B
元件分类： 参考电压二极管
英文描述： 36 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
封装： HERMETIC SEALED, GLASS, DO-204AH, 2 PIN
文件页数： 2/4页
文件大小： 169K
代理商： 1N6013B
November 2006 / C
Page 2
Li ce n s e d by ON Sem i c o n d uc to r ,
A t r ad e m ar k o f semicond u c t o r
C o mpo n e n ts I n d u s t ri es , L L C for
Ze n e r Tec h nolo g y and Pr od u c ts .
TAK CHEONG
ELECTRICAL CHARACTERIZATION
(TA = 25°C unless otherwise noted)
Zener Voltage (Note 3.)
Zener Impedance (Note 4.)
Leakage Current
VZ (Volts)
@IZT
ZZT @IZT
ZZK @IZK
IR @VR = 1V
IZM
(Note 5.)
Device
(Note 2.)
Device
Marking
Min
Nom
Max
(mA)
()
(mA)
(uA)
(Volts)
(mA)
1N5985B
1N5986B
1N5987B
1N5988B
1N5989B
1N5985B
1N5986B
1N5987B
1N5988B
1N5989B
2.280
2.565
2.850
3.135
3.420
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
2.520
2.835
3.150
3.465
3.780
5
100
95
90
1800
1900
2000
2200
2300
0.25
100
75
50
25
15
1
208
185
167
152
139
1N5990B
1N5991B
1N5992B
1N5993B
1N5994B
1N5990B
1N5991B
1N5992B
1N5993B
1N5994B
3.705
4.085
4.465
4.845
5.320
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
4.095
4.515
4.935
5.355
5.880
5
90
88
70
50
25
2400
2500
2200
2050
1800
0.25
10
5
3
2
1
1.5
2
3
128
116
106
98
89
1N5995B
1N5996B
1N5997B
1N5998B
1N5999B
1N5995B
1N5996B
1N5997B
1N5998B
1N5999B
5.890
6.460
7.125
7.790
8.645
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
6.510
7.140
7.875
8.610
9.555
5
10
8
7
10
1300
750
600
0.25
1
0.5
0.1
4
5.2
6
6.5
7
81
74
67
61
55
1N6000B
1N6001B
1N6002B
1N6003B
1N6004B
1N6000B
1N6001B
1N6002B
1N6003B
1N6004B
9.50
10.45
11.40
12.35
14.25
10
11
12
13
15
10.50
11.55
12.60
13.65
15.75
5
15
18
22
25
32
600
0.25
0.1
8
8.4
9.1
9.9
11
50
45
42
38
33
1N6005B
1N6006B
1N6007B
1N6008B
1N6009B
1N6005B
1N6006B
1N6007B
1N6008B
1N6009B
15.20
17.10
19.00
20.90
22.80
16
18
20
22
24
16.80
18.90
21.00
23.10
25.20
5
36
42
48
55
62
600
0.25
0.1
12
14
15
17
18
31
28
25
23
21
1N6010B
1N6011B
1N6012B
1N6013B
1N6014B
1N6010B
1N6011B
1N6012B
1N6013B
1N6014B
25.65
28.50
31.35
34.20
37.05
27
30
33
36
39
28.35
31.50
34.65
37.80
40.95
5
2
70
78
88
95
130
600
700
800
0.25
0.1
21
23
25
27
30
19
17
15
14
13
1N6015B
1N6016B
1N6017B
1N6018B
1N6019B
1N6015B
1N6016B
1N6017B
1N6018B
1N6019B
40.85
44.65
48.45
53.20
58.90
43
47
51
56
62
45.15
49.35
53.55
58.80
65.10
2
150
170
180
200
225
900
1000
1300
1400
0.25
0.1
33
36
39
43
47
12
11
9.8
8.9
8.0
1N6020B
1N6021B
1N6022B
1N6023B
1N6024B
1N6025B
1N6020B
1N6021B
1N6022B
1N6023B
1N6024B
1N6025B
64.60
71.25
77.90
86.45
95.00
104.5
68
75
82
91
100
110
71.40
78.75
86.10
95.55
105.0
115.5
2
1
240
265
280
300
500
650
1600
1700
2000
2300
2600
3000
0.25
0.1
.1
52
56
62
69
76
82
7.4
6.7
6.1
5.5
5.0
4.5
VF Forward Voltage = 1.5V max @ IF = 100mA for all types
相关PDF资料
PDF描述
1N6376/1-E3 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N6378 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N6381LEADFREE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N753C 6.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N978C 51 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
相关代理商/技术参数
参数描述
1N6013B BK 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:95 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 27V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500
1N6013B R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:00000020000 500MW 36V
1N6013B_T50A 功能描述:稳压二极管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
1N6013B_T50R 功能描述:稳压二极管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
1N6013B-TP 功能描述:稳压二极管 500mW, 5mA, 36V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*