型号: | 1N6381LEADFREE |
厂商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 73K |
代理商: | 1N6381LEADFREE |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N753C | 6.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
1N978C | 51 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
1N983DLEADFREE | 82 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
1N985CLEADFREE | 100 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
1N987CLEADFREE | 120 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N6381RL4 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors |
1N6381RL4G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors |
1N6382 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:Zener Transient Voltage Suppressors Unidirectional and Bidirectional |
1N6382/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 8.0V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6382/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 8.0V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |