- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录106348 > 1N6269 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 1N6269 |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 491K |
| 代理商： | 1N6269 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N6283A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N6297 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N6492-JQRS.L3D | 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-205AF |
| 12FLR60S10 | 12 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
| 1N4006 | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N6269A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8.2V 1500W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6269A/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 8.2V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6269A/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 8.2V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6269A/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 8.2V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6269AE3 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Unidirectional & Bidirectional Transient Voltage Suppressors |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。