参数资料
型号: 1N6271AG
厂商: ON Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: TVS 1500W 10V UNIDIRECT AXIAL
产品变化通告: Specification Update Storage Temp Range 14/Aug/2008
Product Obsolescence 30/Sept/2009
产品目录绘图: Mosorb™ Axial Side
标准包装: 500
系列: Mosorb™
电压 - 反向隔离(标准值): 8.55V
电压 - 击穿: 9.5V
功率(瓦特): 1500W
电极标记: 单向
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-201AD,轴向
供应商设备封装: 轴向
包装: 散装
其它名称: 1N6271AGOS
1N6267A Series
MAXIMUM RATINGS
Rating
Peak Power Dissipation (Note 1) @ T L ≤ 25 ° C
Steady State Power Dissipation
@ T L ≤ 75 ° C, Lead Length = 3/8 in
Derated above T L = 75 ° C
Thermal Resistance, Junction?to?Lead
Forward Surge Current (Note 2) @ T A = 25 ° C
Operating and Storage
Symbol
P PK
P D
R q JL
I FSM
T J , T stg
Value
1500
5.0
20
20
200
? 65 to +175
Unit
W
W
mW/ ° C
° C/W
A
° C
Temperature Range
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit
values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,
damage may occur and reliability may be affected.
1. Nonrepetitive current pulse per Figure 5 and derated above T A = 25 ° C per Figure 2.
2. 1/2 sine wave (or equivalent square wave), PW = 8.3 ms, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.
NOTES: Please see 1.5KE6.8CA to 1.5KE250CA for Bidirectional Devices
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C unless
otherwise noted, V F = 3.5 V Max., I F (Note 3) = 100 A)
I
Symbol
I PP
V C
V RWM
Parameter
Maximum Reverse Peak Pulse Current
Clamping Voltage @ I PP
Working Peak Reverse Voltage
I F
I R
V BR
Maximum Reverse Leakage Current @ V RWM
Breakdown Voltage @ I T
V C V BR V RWM
I R V F
I T
V
I T
Q V BR
Test Current
Maximum Temperature Coefficient of V BR
I F
V F
Forward Current
Forward Voltage @ I F
http://onsemi.com
2
I PP
Uni?Directional TVS
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1N6271AHE3/51 功能描述:DIODE GEN PURPOSE 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101,TransZorb? 包装:散装 零件状态:停產 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):8.55V 电压 - 击穿(最小值):9.5V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:14.5V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):103A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 供应商器件封装:1.5KE 标准包装:1,500
1N6271AHE3/54 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 10V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
1N6271AHE3/73 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 10V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
1N6271AHE3_A/C 功能描述:TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101,TransZorb? 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):8.55V 电压 - 击穿(最小值):9.5V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:14.5V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):103A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 供应商器件封装:1.5KE 标准包装:1,400
1N6271AHE3_A/D 功能描述:TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101,TransZorb? 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):8.55V 电压 - 击穿(最小值):9.5V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:14.5V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):103A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 供应商器件封装:1.5KE 标准包装:1,000