参数资料
| 型号： | 1N6271AG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS 1500W 10V UNIDIRECT AXIAL |
| 产品变化通告： | Specification Update Storage Temp Range 14/Aug/2008 Product Obsolescence 30/Sept/2009 |
| 产品目录绘图： | Mosorb™ Axial Side |
| 标准包装： | 500 |
| 系列： | Mosorb™ |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 8.55V |
| 电压 - 击穿： | 9.5V |
| 功率（瓦特）： | 1500W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-201AD，轴向 |
| 供应商设备封装： | 轴向 |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | 1N6271AGOS |
1N6267A Series
100
10
NONREPETITIVE
PULSE WAVEFORM
SHOWN IN FIGURE 5
100
80
60
40
20
1
0.1 m s
1 m s
10 m s 100 m s
t P , PULSE WIDTH
1 ms
10 ms
0
0
25
50
75 100 125 150 175 200
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Figure 1. Pulse Rating Curve
1N6373, ICTE-5, MPTE-5,
through
1N6389, ICTE-45, C, MPTE-45, C
Figure 2. Pulse Derating Curve
1N6267A/1.5KE6.8A
through
1N6303A/1.5KE200A
10,000
1000
MEASURED @
ZERO BIAS
10,000
1000
MEASURED @
ZERO BIAS
MEASURED @ V RWM
MEASURED @ V RWM
100
100
10
1
10
100
1000
10
1
10
100
1000
V BR , BREAKDOWN VOLTAGE (VOLTS)
V BR , BREAKDOWN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. Capacitance versus Breakdown Voltage
5
3/8 ″
3/8 ″
100
t r
PEAK VALUE ? I PP
PULSE WIDTH (t P ) IS DEFINED AS
THAT POINT WHERE THE PEAK
CURRENT DECAYS TO 50% OF I PP .
tr ≤ 10 m s
4
3
50
HALF VALUE ?
I PP
2
2
1
t P
0
0
25
50
75 100 125 150 175
T L , LEAD TEMPERATURE ( ° C)
200
0
0
1
2
t, TIME (ms)
3
4
Figure 4. Steady State Power Derating
http://onsemi.com
4
Figure 5. Pulse Waveform
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TSW-129-23-G-S | CONN HEADER 29POS .100" SGL GOLD |
| ICTE-5RL4G | TVS ZENER UNIDIR 1500W 5.0V AXL |
| TSW-131-23-G-S | CONN HEADER 31POS .100" SGL GOLD |
| 50576-1128E | 4 ROW R/A RECEPT SOLDER |
| TSW-132-23-G-S | CONN HEADER 32POS .100" SGL GOLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N6271AHE3/51 | 功能描述:DIODE GEN PURPOSE 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101，TransZorb? 包装:散装 零件状态:停產 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:8.55V 电压 - 击穿（最小值）:9.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:14.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:103A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA，DO-27，轴向 供应商器件封装:1.5KE 标准包装:1,500 |
| 1N6271AHE3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 10V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6271AHE3/73 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 10V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6271AHE3_A/C | 功能描述:TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101，TransZorb? 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:8.55V 电压 - 击穿（最小值）:9.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:14.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:103A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA，DO-27，轴向 供应商器件封装:1.5KE 标准包装:1,400 |
| 1N6271AHE3_A/D | 功能描述:TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101，TransZorb? 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:8.55V 电压 - 击穿（最小值）:9.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:14.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:103A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA，DO-27，轴向 供应商器件封装:1.5KE 标准包装:1,000 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。