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参数资料
| 型号： | 1N6286A |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
| 封装： | PLASTIC, DO-27, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 206K |
| 代理商： | 1N6286A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1FI150B | 150 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 11DF4TR | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N5456C | VHF-UHF BAND, 100 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
| 1N5469B | VHF-UHF BAND, 27 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
| 1N4905A-1 | 12.8 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N6286A/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 43V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6286A/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 43V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6286A-E3/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 43V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6286A-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 43V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6286A-E3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 43V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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