型号: | 1N6286A |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
封装: | PLASTIC, DO-27, 2 PIN |
文件页数: | 3/3页 |
文件大小: | 206K |
代理商: | 1N6286A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1FI150B | 150 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
11DF4TR | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
1N5456C | VHF-UHF BAND, 100 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
1N5469B | VHF-UHF BAND, 27 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
1N4905A-1 | 12.8 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N6286A/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 43V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6286A/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 43V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6286A-E3/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 43V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6286A-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 43V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6286A-E3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 43V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |