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参数资料
| 型号： | 1N6461 |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | 1N6461 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N65 | 0.05 A, GERMANIUM, SIGNAL DIODE |
| 1N6626US | 4 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N6629V | 1.4 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N6630US | 2.8 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N6631S | 1.4 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N646-1 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL UNI-DIR 5V 500W 2PIN E - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE RECT STD DO-31 |
| 1N6461_08 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Voidless-Hermetically-Sealed Unidirectional Transient Suppressors |
| 1N6461JAN | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
| 1N6461US | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode TVS Single Uni-Dir 5V 500W 2-Pin E-MELF 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL UNI-DIR 5V 500W 2PIN MELF - Bulk 制造商:Microsemi 功能描述:Diode TVS Single Uni-Dir 5V 500W 2-Pin E-MELF |
| 1N6461US/TR | 功能描述:UNI-DIRECTIONAL TVS 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:5V 电压 - 击穿（最小值）:5.6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:9V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:56A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 标准包装:100 |
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