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参数资料
| 型号： | 1N914-B |
| 英文描述： | Complementary Switching Diode Chips |
| 中文描述： | 补充开关二极管芯片 |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | 1N914-B |
1999 May 26
5
Philips Semiconductors
Product specication
High-speed diode
1N914
Fig.5
Reverse current as a function of junction
temperature.
handbook, halfpage
0
100
Tj (
oC)
200
103
102
101
102
10
(1)
(2)
1
IR
(
A)
MGD006
(3)
(1) VR = 75 V; maximum values.
(2) VR = 75 V; typical values.
(3) VR = 20 V; typical values.
Fig.6
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
f = 1 MHz; Tj =25 °C.
handbook, halfpage
010
20
1.2
1.0
0.6
0.4
0.8
MGD004
VR (V)
Cd
(pF)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N914-N | Complementary Switching Diode Chips |
| 1N914-R | Complementary Switching Diode Chips |
| 1N914-RN | Complementary Switching Diode Chips |
| 1N935B-1 | 0TC Reference Voltage Zener |
| 1N937B-1 | 0TC Reference Voltage Zener |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N914B A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:720mV @ 5mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5,000 |
| 1N914B,113 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE AXIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N914B | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Small Signal Diode |
| 1N914B_NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| 1N914B_Q | 功能描述:整流器 100V Io/200mA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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