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参数资料
| 型号： | 1N914T50R |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | 1N914T50R |
1N/FDLL
914/A/B
/
916/A/B
/
4148
/
4448
Typical Characteristics (continued)
Small Signal Diode
(continued)
0
50
100
150
0
100
200
300
400
500
I
F(AV) - AVERA
GE RE
CTIFIE
D CU
RRENT
- mA
Cur
re
nt
(
m
A)
Ambient Temperature (
o
C)
02
46
8
10
12
14
0.75
0.80
0.85
0.90
T
A = 25
o
C
T
o
ta
lC
a
pac
it
an
ce
(p
F
)
REVERSE VOLTAGE (V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
20
30
50
100
200
300
500
800
Ta= 25
o
C
F
o
rw
a
rd
V
o
lt
a
g
e,
V
F
[m
V]
Forward Current, I
F [mA]
Figure 5. Forward Voltage vs Forward Current
VF - 10 to 800 mA
0.01
0.1
1
10
300
400
500
600
700
800
900
3
0.3
0.03
Typical
Ta= -40
o
C
Ta= 25
o
C
Ta= +65
o
C
For
w
a
rd
V
o
ltage,
V
F
[m
V]
Forward Current, I
F [mA]
Figure 6. Forward Voltage
vs Ambient Temperature
VF - 0.01 - 20 mA (-40 to +65 Deg C)
10
20
30
40
50
60
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
Ta = 25
o
C
R
ever
se
R
ecove
ry
Ti
m
e
,t
rr
[n
s
]
Reverse Recovery Current, I
rr [m A]
Figure 8. Reverse Recovery Time vs
Reverse Recovery Current
0
50
100
150
200
0
100
200
300
400
500
DO-35
SOT-23
P
o
w
e
rD
iss
ip
a
ti
o
n
,
P
D
[m
W
]
Temperature [
o
C]
Figure 10. Power Derating Curve
Figure 7. Total Capacitance
IF = 10mA - IRR = 1.0 mA - Rloop = 100 Ohms
Figure 9. Average Rectified Current (I
F(AV))
versus Ambient Temperature (T
A)
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PDF描述 |
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| 1N914TR | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100 Volt 300mA T/R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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