型号: | 1N966 |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 16 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 119K |
代理商: | 1N966 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N5617 | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AP |
1N4002GP | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
1N4942GP | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
1N5266BAMO | 68 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5361BRL | 27 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N966A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 16V 10% 500MW 2PIN DO-35 - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 16V 500MW DO-7 |
1N966B | 功能描述:稳压二极管 16V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N966B TR | 功能描述:DIODE ZENER 16V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 12.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 |
1N966B | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Zener Diode |
1N966B_Q | 功能描述:稳压二极管 16V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |