参数资料
| 型号： | 1PMT12AT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS ZENER 200W 12V POWERMITE |
| 标准包装： | 10 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 12V |
| 电压 - 击穿： | 13.3V |
| 功率（瓦特）： | 200W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-216AA |
| 供应商设备封装： | Powermite |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2380 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 1PMT12AT1GOSDKR |
1PMT5.0AT1G/T3G Series
TYPICAL PROTECTION CIRCUIT
Z in
V in
LOAD
V L
TYPICAL CHARACTERISTICS
10,000
PULSE WIDTH (t P ) IS DEFINED
t r
AS THAT POINT WHERE THE PEAK
CURRENT DECAYS TO 50%
1000
100
PEAK VALUE - I RSM
OF I RSM .
t r ≤ 10 m s
HALF VALUE - RSM
100
10
50
0
t P
I
2
1.0
10
100
1000
10,000
0
1
2
3
4
t P , PULSE WIDTH ( m s)
Figure 1. Pulse Rating Curve
t, TIME (ms)
Figure 2. 10 X 1000 m s Pulse Waveform
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
t r
t P
PEAK VALUE I RSM @ 8 m s
PULSE WIDTH (t P ) IS DEFINED
AS THAT POINT WHERE THE
PEAK CURRENT DECAY = 8 m s
HALF VALUE I RSM /2 @ 20 m s
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
0
0
25
50
75
100
125
150
t, TIME ( m s)
Figure 3. 8 X 20 m s Pulse Waveform
http://onsemi.com
4
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Figure 4. Pulse Derating Curve
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 76383-309LF | CONN HEADER 18PS.100 DL R/A GOLD |
| TMM-105-01-T-D | CONN HEADER 10POS DUAL 2MM T/H |
| TSW-121-23-T-S | CONN HEADER 21POS .100" SNGL TIN |
| TSW-107-23-S-S | CONN HEADER 7POS .100" SGL GOLD |
| TSW-123-08-T-S-RA | CONN HEADER 23POS .100" SNGL R/A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1PMT12AT3 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 12V 200W Powermite RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1PMT12AT3G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 12V 200W Powermite Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1PMT16AT1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 16V 200W Powermite RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1PMT16AT1G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 16V 200W Powermite Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1PMT16AT3 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 16V 200W Powermite RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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