参数资料
| 型号： | 1PMT12AT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS ZENER 200W 12V POWERMITE |
| 标准包装： | 10 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 12V |
| 电压 - 击穿： | 13.3V |
| 功率（瓦特）： | 200W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-216AA |
| 供应商设备封装： | Powermite |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2380 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 1PMT12AT1GOSDKR |
1PMT5.0AT1G/T3G Series
TYPICAL CHARACTERISTICS
1
0.7
0.5
3.5
3
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
PULSE WIDTH
10 ms
1 ms
100 m s
2.5
2
1.5
1
0.5
T L
0.01
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10 m s
10
20
50 100
0
25
50
75
100
125
150
175
1.2
1.0
0.8
D, DUTY CYCLE (%)
Figure 5. Typical Derating Factor for Duty Cycle
10,000
1000
T, TEMPERATURE ( ° C)
Figure 6. Steady State Power Derating
MEASURED @ ZERO BIAS
0.6
0.4
0.2
100
MEASURED @ 50% V RWM
0
? 55
25
85
150
10
1
10
100
T, TEMPERATURE ( ° C)
Figure 7. Forward Voltage
http://onsemi.com
5
WORKING PEAK REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Capacitance versus Working Peak
Reverse Voltage
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| 1PMT16AT1G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 16V 200W Powermite Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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