型号: | 1PMT4111E3 |
厂商: | MICROSEMI CORP |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 17 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA |
封装: | ROHS COMPLIANT, DO-216, POWERMITE-2 |
文件页数: | 2/4页 |
文件大小: | 113K |
代理商: | 1PMT4111E3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N821ABK | 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-35 |
1.5SMCJ200AP | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
1.5SMCJ220CAP | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
1N5811D3B-JQRS.CVP | 3 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
1N5811D3B-JQRS.GCDE | 3 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1PMT4111E3/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 17V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):17V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):100 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 12.92V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216 标准包装:12,000 |
1PMT4111E3/TR7 | 功能描述:DIODE ZENER 17V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):17V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):100 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 12.92V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216 标准包装:3,000 |
1PMT4112 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:POWERMITETM Low Noise 1 Watt Zener Diodes |
1PMT4112/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 18V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):100 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 13.37V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216 标准包装:12,000 |
1PMT4112/TR7 | 功能描述:DIODE ZENER 18V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):100 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 13.37V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216 标准包装:3,000 |