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参数资料
| 型号： | 1PMT4111E3 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 17 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, DO-216, POWERMITE-2 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | 1PMT4111E3 |
POWERMITE
TM
Low Noise 1 Watt Zener Diodes
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 3
Copyright
2005
5-06-2005 REV G
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
1PMT4614e3 thru 1PMT4627e3,
1PMT4099e3 thru 1PMT4135e3
1PMT461
4-2
7
&
1PMT409
9-4
135
GRAPHS AND TEST CIRCUIT
Temperature (
oC)
FIGURE 1
NOISE TEST CIRCUIT
Power Derating Curve Where TC is case (bottom) temperature
FIGURE 2
and TA is Ambient Temperature on FR4 PC board
FIGURE 3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N821ABK | 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-35 |
| 1.5SMCJ200AP | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| 1.5SMCJ220CAP | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| 1N5811D3B-JQRS.CVP | 3 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N5811D3B-JQRS.GCDE | 3 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1PMT4111E3/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 17V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:17V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:100 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 12.92V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216 标准包装:12,000 |
| 1PMT4111E3/TR7 | 功能描述:DIODE ZENER 17V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:17V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:100 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 12.92V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216 标准包装:3,000 |
| 1PMT4112 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:POWERMITETM Low Noise 1 Watt Zener Diodes |
| 1PMT4112/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 18V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:100 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 13.37V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216 标准包装:12,000 |
| 1PMT4112/TR7 | 功能描述:DIODE ZENER 18V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:100 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 13.37V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216 标准包装:3,000 |
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