参数资料
型号: 1PS193,135
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 2/8页
文件大小: 206K
描述: DIODE 80V 215MA HI-SPEED SC59
标准包装: 10,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 80V
电流 - 平均整流 (Io): 215mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.2V @ 100mA
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 4ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 500nA @ 80V
电容@ Vr, F: 1.5pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SMT3
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 1PS193 /T3
1PS193 /T3-ND
934028430135
1996 Sep 11 2
NXP Semiconductors
Product data sheet
High-speed diode 1PS193
FEATURES
?
Small plastic SMD package
?
High switching speed: max.
4
ns
?
Continuous reverse voltage:
max.
80
V
?
Repetitive peak reverse voltage:
max.
85
V
?
Repetitive peak forward current:
max. 500
mA.
APPLICATIONS
?
High-speed switching in e.g.
surface mounted circuits.
DESCRIPTION
The 1PS193 is a high-speed
switching diode, fabricated in planar
technology, and encapsulated in the
small plastic SMD SC59 package.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
anode
2
not connected
3
cathode
Fig.1 Simplified outline (SC59) and symbol.
Marking code:
F3T.
Top view
21
3
MAM085
2
n.c.
1
3
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC
134).
Note
1. Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
VRRM
repetitive peak reverse voltage
?
85
V
VR
continuous reverse voltage
?
80
V
IF
continuous forward current
see
Fig.2; note
1
?
215
mA
IFRM
repetitive peak forward current
?
500
mA
IFSM
non-repetitive peak forward current
square wave; Tj
=
25
°C prior to
surge
t
=
1
μs
?
4
A
t
=
1
s
?
0.5
A
Ptot
total power dissipation
Tamb
=
25
°C; note
1
?
250
mW
Tstg
storage temperature
?65
+150
°C
Tj
junction temperature
?
150
°C
相关PDF资料
PDF描述
ICM7218BIJIR5254 IC DRIVER DECODER 8DIG 28-CERDIP
S222Z33Y5VP63K5R CAP CER 2200PF 2KV RADIAL
PSAA30R-560-R-C4 ADAPTER WALL R-SERIES 30W 56V
RSC50DREH CONN EDGECARD 100POS .100 EYELET
ICM7218DIJIR5254 IC DRIVER DECODER 8DIG 28-CERDIP
相关代理商/技术参数
参数描述
1PS226 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Rectifier Diode, Doubler, 85 Volt, TO-236VAR
1PS226 /T3 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
1PS226 T/R 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 DIODE SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
1PS226,115 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 DIODE SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
1PS226,135 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube