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参数资料
| 型号： | 1PS193,135 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 206K |
| 描述： | DIODE 80V 215MA HI-SPEED SC59 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 215mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.2V @ 100mA |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500nA @ 80V |
| 电容@ Vr, F： | 1.5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SMT3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 1PS193 /T3 1PS193 /T3-ND 934028430135 |
    1996 Sep 11 3 NXP Semiconductors Product data sheet High-speed diode 1PS193 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tj = 25 °C; unless otherwise specified. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VF forward voltage see Fig.3 IF = 1 mA 610 ? mV IF = 10 mA 740 ? mV IF = 50 mA ? 1.0 V IF = 100 mA ? 1.2 V IR reverse current see Fig.4 VR = 25 V ? 30 nA VR = 80 V ? 0.5 μA VR = 25 V; Tj = 150 °C ? 30 μA VR = 80 V; Tj = 150 °C; ? 100 μA Cd diode capacitance f = 1 MHz; VR = 0; see Fig.5 ? 1.5 pF trr reverse recovery time when switched from IF = 10 mA to IR = 10 mA; RL = 100 Ω; measured at IR = 1 mA; see Fig.6 ? 4 ns Vfr forward recovery voltage when switched from IF = 10 mA; tp = 20 ns; see Fig.7 ? 1.75 V THERMAL CHARACTERISTICS Note 1. Device mounted on an FR4 printed-circuit board. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT Rth j-tp thermal resistance from junction to tie-point 250 K/W Rth j-a thermal resistance from junction to ambient note 1 500 K/W |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1PS226 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Rectifier Diode, Doubler, 85 Volt, TO-236VAR |
| 1PS226 /T3 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1PS226 T/R | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1PS226,115 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1PS226,135 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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