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参数资料
| 型号： | 1PS59SB10,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 33K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 300MA SC59 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 800mV @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 5ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2µA @ 25V |
| 电容@ Vr, F： | 10pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SMT3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 1PS59SB10 T/R 1PS59SB10 T/R-ND 934042890115 |
 1996 Sep 20 3 Philips Semiconductors Product speci?cation Schottky barrier (double) diodes 1PS59SB10 series LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tamb =25°C unless otherwise speci?ed. THERMAL CHARACTERISTICS Note 1. Refer to SC59 standard mounting conditions. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT Per diode VR continuous reverse voltage ? 30 V IF continuous forward current ? 200 mA IFRM repetitive peak forward current tp ≤ 1s;δ≤ 0.5 ? 300 mA IFSM non-repetitive peak forward current tp <10ms ? 600 mA Ptot total power dissipation (per package) Tamb ≤ 25 °C ? 250 mW Tstg storage temperature ?65 +150 °C Tj junction temperature ? 125 °C SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MAX. UNIT Per diode VF forward voltage see Fig.6 IF = 0.1 mA 240 mV IF =1mA 320 mV IF =10mA 400 mV IF =30mA 500 mV IF = 100 mA 800 mV IR reverse current VR = 25 V; see Fig.7 2 μA trr reverse recovery time when switched from IF =10mA 5ns to IR = 10 mA; RL = 100 Ω; measured at IR = 1 mA; see Fig.9 Cddiode capacitance f = 1 MHz; VR = 1 V; see Fig.8 10 pF SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT Rth j-a thermal resistance from junction to ambient note 1 500 K/W |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1PS59SB20,115 | DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SC59 |
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| 1PS79SB30,115 | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SC79 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1PS59SB10SERIES | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Schottky barrier (double) diodes |
| 1PS59SB14 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Schottky barrier (double) diodes |
| 1PS59SB14 T/R | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 1PS59SB14,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 1PS59SB15 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Schottky barrier (double) diodes |
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