参数资料
型号: 1PS59SB10,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 4/5页
文件大小: 33K
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 300MA SC59
标准包装: 3,000
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 30V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 800mV @ 100mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr): 5ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 2µA @ 25V
电容@ Vr, F: 10pF @ 1V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SMT3
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 1PS59SB10 T/R
1PS59SB10 T/R-ND
934042890115
1996 Sep 20 4
Philips Semiconductors
Product speci?cation
Schottky barrier (double) diodes 1PS59SB10 series
GRAPHICAL DATA
(1) Tamb
= 125
°C.
(2) Tamb
=85°C.
(3) Tamb
=25°C.
Fig.6 Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
3handbook, halfpage10
IF
VF
(V)
102
(mA)
10
1
10
1
0
1.2
0.8
0.4
MSA892
(2)
(3)
(1)
(1)
(2)
(3)
0102030V (V)R
10
3
IR
(μA)
10
2
10
1
10
1
(1)
(2)
(3)
MSA893
(1) Tamb
= 125
°C.
(2) Tamb
=85°C.
(3) Tamb
=25°C.
Fig.7 Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
00102030
V (V)R
5
10
15
Cd
(pF)
MSA891
Fig.8 Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
f = 1 MHz; Tamb
=25°C.
Fig.9 Reverse recovery definitions.
handbook, halfpageIF
90%
10%
t
tf
Qr
dIF
dt
IR
MRC129 - 1
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参数描述
1PS59SB10SERIES 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Schottky barrier (double) diodes
1PS59SB14 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Schottky barrier (double) diodes
1PS59SB14 T/R 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
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1PS59SB15 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Schottky barrier (double) diodes